报告人：
杨金波 教授
北京大学物理学院
邀请人：
颜世申 教授
报告时间：
2018年3月30日上午10:10
报告地点：
知新楼C座1111报告厅
报告内容：
众所周知当今社会的繁荣坐落在半导体技术之上，尤其是硅技术。英特尔工程师摩尔提出价格不变的情况下，单位面积集成电路上可以集成的器件每隔一年半就会翻一番，性能也会提高，这就是著名的摩尔定律。然而由于单个器件体积的缩小，器件已经慢慢逼近经典理论的极限。由于电子的波动性，量子效应逐渐明显，例如量子隧穿、库伦阻塞等，电子的漏电严重，功耗上升，栅极的控制能力变弱。为了解决这一问题，有两个可能的解决方案进入人们的视野，寻找新材料或者创立新理论，于是自旋电子学、谷电子学便应运而生。我们利用贝利相位对谷电子学和拓扑绝缘体 (潜在的非耗散自旋电子学器件材料) 进行探讨。研究发现了在BiX单层中在位类型的自旋轨道导致了一个巨大的带隙，其数值超过1eV，这是目前发现的能隙最大的拓扑绝缘体，该类绝缘体携带一对谷赝自旋。我们把Zak phase 应用到一维体系，发现了第一个磁性拓扑晶体绝缘体CuO2链，此类拓扑材料的边缘态是半个电荷的孤子，可以在横向电场下诱导出纵向的电偶极子。基于反演对称破缺的六角晶格，我们将光学激发谷的方法从圆极化扩展到椭圆光极化，类比自旋霍尔效应提出谷轨道磁矩霍尔效应的实施方案。预测并且验证了杂化石墨烯和氮化硼是除了过渡金属硫族化合物外的一类新的谷电子学材料，可以实现谷电子学从远红外到深紫外的全谱范围内观察，证明了在多晶谷电子学的概念仍然适用。本报告也将讨论二维多铁材料的发现和其中自旋、偶极子与谷自由度的调控。
报告人简介：
杨金波，北京大学物理学院教授，兰州大学本科和硕士毕业，北京大学博士毕业。教育部新世纪人才，国际稀土永磁材料咨询委员会委员，国际IEEE磁学技术委员会委员，中国中子散射协会常务理事，高等学校固体物理研究会理事，中国电子学会磁学分会高级会员。主要从事新型磁性功能材料的结构与物性关系的研究，在磁材料的新现象和新效应研究、新一代永磁材料的探索与开发、磁电材料的多物理场调控等方面取得了重要进展。还主持了国家大科学平台--北京大学高强度中子衍射谱仪的设计和建设，开展了结构与磁性相关的中子散射研究。主持和负责了国家自然科学基金重点项目、973课题、863项目等重要课题10余项；获国家发明专利5项, 研究成果在NPG Asia Mater., Adv.Fun.Mater., Nano Lett., Acta Mater.等国际著名刊物发表论文200多篇，引用超过2000次；受邀在多部英文专著中撰写了章节，获国家自然科学二等奖, 北京市自然科学三等奖，甘肃省自然科学三等奖，全国百篇优秀博士论文奖，德国洪堡奖学金等奖励。
欢迎感兴趣的师生参加！
