报 告 人： 韩秀峰 研究员
中国科学院物理研究所
报告时间：2017年4月17日(星期一) 16:00
报告地点：知新楼C702量子报告厅
邀请人：颜世申 教授
报告摘要：该报告将简要介绍基于Al-O非晶势垒、准单晶和单晶MgO(001)势垒、尖晶石MgAl2O4(001)等势垒的磁性隧道结材料制备和隧穿磁电阻(TMR)效应，以及基于量子阱态的自旋相关共振隧穿磁电阻(QW-TMR)效应等物理研究，并简要介绍磁性隧道结(MTJ)及其隧穿磁电阻效应(TMR)在自旋电子学核心器件方面的重要代表性研究进展与应用，例如自旋共振隧穿二极管、磁随机存取存储器(MRAM)、高灵敏度低噪声的TMR磁敏传感器等。
报告人简介：韩秀峰，中科院物理所研究员、博士生导师、M02课题组组长。1984年毕业于兰州大学物理系、1993年在吉林大学获博士学位。1998至2002年分别在日本东北大学、美国新奥尔良大学和爱尔兰圣三一学院从事自旋电子学的研究。2000年获中科院“百人计划”资助；2003年获国家杰出青年基金资助；2007年获国家基金委创新研究群体基金资助；2007年入选“新世纪百千万人才工程国家级人选”；主持和完成过国家基金委的重点基金、重大国际合作基金和科技部的973项目及重大科学仪器装备项目等。现任国际学术期刊JMMM的副主编、SPIN等杂志的编委、PRL等国际70余种SCI学术期刊杂志邀请审稿人。
主要从事“自旋电子学材料、物理和器件原理”研究，包括：(1)基于磁性隧道结及隧穿磁电阻(TMR)的材料、物理和器件原理研究等；(2)磁纳米异质结构及其自旋霍尔效应、自旋Seebeck效应和反常Nernst效应、巨磁热电(GMS)效应等物理研究；(3)铁磁/多铁性/半导体/有机分子等复合磁性隧道结及自旋输运性质研究；(4)新型磁随机存取存储器(MRAM)、磁电阻磁敏传感器、磁逻辑/自旋逻辑、自旋纳米振荡器、自旋场效应管和自旋晶体管的器件原理研究；(5)磁性纳米线和纳米管及其各种复合结构制备研究。发表SCI学术论文270余篇；获得中国发明专利授权70余项和国际专利授权7项；做国际学术会议邀请报告70余次；主编《自旋电子学导论》一书、并参与撰写《Handbook of Spintronics》等其他4部专著。与合作者研制成功一种新型纳米环磁随机存取存储器(MRAM)原理型演示器件、一种非易失性多功能可编程自旋逻辑单元、一种自旋共振隧穿二极管和一种自旋发光二极管器件单元、四种磁电阻磁敏传感器原理型演示器件；其中有关“新型纳米环磁随机存取存储器的基础性研究”获2013年度北京市科学技术一等奖。
